FRAM（铁电随机存取存储器）器件的工作原理基于铁电材料的铁电效应，一般情况下主要受电场影响来实现数据的存储和读取，正常使用中受磁场的直接影响较小，但在特定极端情况下也可能会有一些间接影响。而FRAM器件能够承受的电场强度与具体的器件设计、工艺以及铁电材料特性等因素有关，一般FRAM器件可以承受几伏到几十伏的电场强度。以下是具体分析：

受磁场影响情况

一般情况：FRAM不是基于磁场来存储和读取数据，在一般的磁场环境中，FRAM器件能够正常工作，磁场不会直接改变铁电材料的极化状态从而影响数据存储，所以对其性能和数据存储的影响可以忽略不计。

极端情况：在极强的磁场环境或者特定频率的交变磁场下，可能会通过磁致伸缩等效应间接产生应力，而铁电材料具有压电效应，应力可能会对铁电材料的极化状态产生一定的影响，进而可能影响FRAM器件的数据存储和读取，但这种情况在实际应用场景中非常罕见。

能经受的电场强度

典型工作电场：常见的FRAM器件工作电压一般在1.8V至5V左右，这意味着在正常工作时，其内部承受的电场强度是与这些工作电压相对应的，以保证铁电材料能够可靠地进行极化状态的切换，实现数据的写入和读取等操作。

耐受极限电场：FRAM器件能够承受的极限电场强度会比工作电场强度高很多，通常可以达到几十伏。不同厂家生产的FRAM器件以及不同型号，其具体的耐受电场强度会有所差异。当施加的电场超过这个极限值时，可能会导致铁电材料发生击穿、退极化等现象，使FRAM器件出现性能下降、数据丢失甚至永久性损坏等问题。