FRAM（铁电随机存取存储器）与其他常见类型的存储器（如SRAM、DRAM、Flash等）相比，具有以下优缺点：
读写速度快：FRAM的读写速度比传统的Flash存储器快很多，能达到接近SRAM的读写速度，可快速地存储和读取数据，这使得它在对数据读写速度要求较高的实时应用场景中表现出色，如工业控制、汽车电子等领域，可以及时响应和处理数据。
功耗低：在写入数据时，FRAM不需要像Flash那样进行擦除操作，因此功耗显著降低。尤其是在电池供电的设备中，如物联网传感器节点、便携式医疗设备等，FRAM的低功耗特性可以延长设备的电池续航时间，提高设备的使用效率和稳定性。
抗辐射能力强：与其他一些存储器相比，FRAM具有较好的抗辐射性能。在一些特殊的应用环境中，如航空航天、军事等领域，设备可能会受到强烈的辐射干扰，FRAM能够在这种环境下保持数据的完整性和稳定性，确保设备的正常运行。
高耐久性：FRAM具有极高的写入耐久性，可承受高达10的15次方次以上的写入循环，远远超过Flash存储器的写入寿命。这使得它非常适合用于需要频繁更新数据的应用场景，如智能电表、工业监控设备等，能够保证在设备的整个使用寿命内可靠地存储和更新数据。
非易失性：FRAM属于非易失性存储器，在断电后仍能保持存储的数据不丢失，无需额外的电源来维持数据。这与DRAM等易失性存储器形成鲜明对比，使得FRAM在数据存储的可靠性和便捷性方面具有很大优势，可用于存储关键配置信息、历史数据等重要数据。
存储密度相对较低：目前FRAM的存储密度低于一些主流的Flash存储器和DRAM。这意味着在相同的芯片面积或封装尺寸下，FRAM能够存储的数据量相对较少。在一些对存储容量要求极高的应用场景中，如大容量数据存储服务器、固态硬盘等，FRAM可能无法满足需求。
成本较高：由于FRAM的制造工艺相对复杂，且市场规模相对较小，导致其生产成本较高，产品价格也相对较贵。这在一定程度上限制了FRAM的大规模应用，尤其是在对成本敏感的消费电子等领域，可能会优先选择成本较低的其他存储器。
接口兼容性有限：FRAM的接口标准相对较少，与一些传统的存储器接口不完全兼容。在某些系统设计中，可能需要额外的转换电路或软件适配来实现与FRAM的通信，增加了系统设计的复杂性和成本。
