FRAM（铁电随机存取存储器）和闪存EEPROM（电可擦可编程只读存储器）在产品升级时面临的问题存在差异：

1.写入速度与升级耗时

FRAM：FRAM写入速度快，升级过程中数据写入耗时短。例如在一些对升级时间要求严格的设备中，能快速完成数据更新，减少升级等待时间。

闪存EEPROM：闪存EEPROM写入速度相对慢，在产品升级写入大量数据时，会耗费较多时间，导致升级过程漫长，可能影响用户体验或设备的正常使用。

2.擦写寿命与升级影响

FRAM：具有极高擦写寿命，一般可达101?次以上。频繁的产品升级操作对其性能和使用寿命影响极小，能保证多次升级后数据存储的可靠性。

闪存EEPROM：擦写寿命有限，通常在10万 - 100万次左右。多次产品升级带来的频繁擦写，可能导致闪存EEPROM性能下降，甚至出现数据错误或丢失，影响升级效果和设备稳定性。

3.数据完整性与升级风险

FRAM：数据存储基于铁电材料极化状态，抗干扰能力强。产品升级时，即使遇到短暂的电源波动或电磁干扰，数据完整性也能较好保持，升级失败风险低。

闪存EEPROM：在升级写入数据过程中，若出现电源故障、电磁干扰等异常情况，容易导致数据写入不完整，造成升级失败、数据丢失或设备损坏等问题。

4.兼容性与升级难度

FRAM：不同型号FRAM产品在接口和操作方式上通常具有较高一致性，升级时硬件和软件兼容性问题相对较少，便于进行产品升级设计和实施。

闪存EEPROM：不同厂商或不同型号的闪存EEPROM在存储结构、擦写机制、指令集等方面可能存在较大差异，产品升级时可能面临硬件不兼容、软件适配困难等问题，增加升级难度。

综上所述，FRAM产品在升级时，不会出现与闪存EEPROM相同的问题 。