辐射影响：FRAM对辐射有一定抵抗能力，但并非完全免疫。电离辐射可能产生电子 - 空穴对，干扰铁电材料极化状态，进而影响数据存储。不过相比一些基于半导体浮栅技术的存储器件（如闪存），FRAM因铁电材料特性，在低辐射环境下受影响程度较小。但在高辐射环境，如太空、核反应堆附近等，辐射仍可能改变铁电材料的微观结构，导致数据错误。
软错误影响：软错误通常由高能粒子撞击引起，可能使存储单元状态改变。FRAM在一定程度上能减少软错误发生概率，其铁电材料存储数据的稳定性较高，不像动态随机存取存储器（DRAM）那样易因电荷泄漏等导致软错误。然而，当受到高强度高能粒子轰击时，FRAM也可能出现软错误。
：市场上存在商用的FRAM产品。例如，富士通（Fujitsu）长期致力于FRAM技术研发与产品推广，其提供多种容量和封装形式的FRAM芯片，广泛应用于智能电表、工业控制、安防监控等领域。德州仪器（TI）也有相关FRAM产品，适用于对数据存储可靠性和读写速度要求高的应用场景，助力不同行业满足其存储需求。 总结关键字：FRAM,辐射,软错误,商用产品,抵抗能力
